Web of Science® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 25425 |
Цитируемость | |
суммарная | 326761 |
на статью | 12,9 |
Индекс Хирша | 169 |
G-индекс | 286 |
Scopus® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 28655 |
Цитируемость | |
суммарная | 364193 |
на статью | 12,7 |
Индекс Хирша | 180 |
G-индекс | 304 |
Афанасьев Михаил Михайлович
Измерение времени жизни экситона в двойной полумагнитной квантовой яме с помощью магнитооптического эффекта Керра. ФТП, т.58, 10, 2024, с. 561 - 564
Международная конференция ФизикА.СПб; Санкт-Петербург, Россия; 21−25 октября 2024
https://doi.org/10.61011/FTP.2024.10.59381.6621A
Measurement of exciton lifetime in double semimagnetic quantum well by means of magneto-optical Kerr effect. Semiconductors, v.58, 10, 2024, p. 516 - 519
International Conference PhysicA.SPb/2024; St. Petersburg, Russia; 21-25 October 2024
https://doi.org/10.61011/SC.2024.10.59945.6621A
Спин-фотонные взаимодействия в полупроводниковых наноструктурах.
В книге (сборнике): ФТИ им. А.Ф. Иоффе – 105 лет, 2023, с. 76 - 80
Проявление обменного взаимодействия электронов, разделенных потенциальным барьером в двойных квантовых ямах, в эффекте Керра. ФТТ, т.65, 1, 2023, с. 83 - 86
http://dx.doi.org/10.21883/FTT.2023.01.53927.478
Manifestation of the exchange interaction of electrons separated by a potential barrier in double quantum wells in the Kerr effect. Phys. Solid State, v.65, 1, 2023, p. 80 - 83
https://doi.org/10.21883/PSS.2023.01.54978.478
Electron-nucleus spin-correlation conservation of spin-dependent recombination in Ga2+ centers. Phys. Rev. B, v.101, 7, 2020, ArtNo: #075201
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.101.075201
Short range proximity effect induced by exchange interaction in tunnel-coupled CdTe and (Cd,Mn)Te quantum wells. Phys. Rev. B, v.101, 3, 2020, ArtNo: #035301
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.101.035301
Electron g-factor in coupled quantum wells CdTe and CdMnTe. J. Phys.: Conf. Ser., v.1400, 6,
В книге (сборнике): International Conference PhysicA.SPb/2019, 2019, ArtNo: #066023
International Conference PhysicA.SPb/2019; St.Petersburg, Russian Federation; 22–24 October 2019
http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1400/6/066023
Persistent circular currents of exciton-polaritons in cylindrical pillar microcavities. Phys. Rev. B, v.97, 19, 2018, ArtNo: #195149
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.97.195149
Спин-зависимая рекомбинация в твердых растворах GaAs1-xNx в наклонном магнитном поле. ФТТ, т.58, 8, 2016, с. 1490 - 1498
Spin-dependent recombination in GaAs1-xNx alloys at oblique magnetic field. Phys. Solid State, v.58, 8, 2016, p. 1539 - 1548
http://dx.doi.org/10.1134/S106378341608014X
Управляемое переключение между квантовыми состояниями в экситон-поляритонном конденсате. Письма ЖЭТФ, т.103, 5, 2016, с. 355 - 358
http://dx.doi.org/10.7868/S0370274X16050052
Controlled switching between quantum states in the exciton-polariton condensate. JETP Lett., v.103, 5, 2016, p. 313 - 315
http://dx.doi.org/10.1134/S0021364016050076
Lasing in Bose-Fermi mixtures. Sci. Rep., v.6, 2016, ArtNo: #20091
http://dx.doi.org/10.1038/srep20091
Controllable structuring of exciton-polariton condensates in cylindrical pillar microcavities. Phys. Rev. B, v.91, 4, 2015, ArtNo: #045305
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.91.045305
Ring-shaped polariton lasing in pillar microcavities. J. Appl. Phys., v.115, 9, 2014, ArtNo: #094304
http://dx.doi.org/10.1063/1.4867519
Оптическая ориентация ядер в азотосодержащих твердых растворах GaAsN при комнатной температуре. Письма ЖЭТФ, т.96, 9, 2012, с. 635 - 640
Optical orientation of nuclei in nitrogen alloys GaAsN at room temperature. JETP Lett., v.96, 9, 2013, p. 567 - 571
http://dx.doi.org/10.1134/S0021364012210060
Amplification of spin-filtering effect by magnetic field in GaAsN alloys. Phys. Rev. B, v.85, 3, 2012, ArtNo: #035205
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.85.035205
Optical orientation and spin-dependent recombination in GaAsN alloys under continuous-wave pumping. J. Phys.: Condens. Matter, v.22, 46, 2010, ArtNo: #465804
http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/22/46/465804
Hanle effect and spin-dependent recombination at deep centers in GaAsN. Physica B, v.404, 23-24, 2009, p. 4929 - 4932
http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.234
ESR study of photoinjection of hydrogen in nanostructured MoO3 thin films. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, v.93, 2, 2009, p. 280 - 288
http://dx.doi.org/10.1016/j.solmat.2008.10.024
Механизм образования центров окраски при фотоинжекции водорода в наноразмерных пленках Mo_O3. Письма ЖТФ, т.35, 7, 2009, с. 62 - 69
Mechanism of color center formation during hydrogen photoinjection into nanodimensional MoO3 films. Tech. Phys. Lett., v.35, 4, 2009, p. 322 - 325
http://dx.doi.org/10.1134/S1063785009040105
The sign of electron g-factor in GaAs1-xNx measured by using the Hanle effect. Semicond. Sci. Technol., v.23, 11, 2008, ArtNo: #114008
http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/23/11/114008
Спин-зависимая рекомбинация в твердых растворах GaAsN. Письма ЖЭТФ, т.82, 7, 2005, с. 509 - 512
Spin-dependent recombination in GaAsN solid solutions. Jetp Lett., v.82, 7, 2005, p. 455 - 458
http://dx.doi.org/10.1134/1.2142877