Поиск публикаций по авторам - сотрудникам ФТИ | ФТИ им. А.Ф. Иоффе

Web of Science®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей	25425
Цитируемость
суммарная	326761
на статью	12,9
Индекс Хирша	169
G-индекс	286

Scopus®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей	28655
Цитируемость
суммарная	364193
на статью	12,7
Индекс Хирша	180
G-индекс	304

Пак Петр Евгеньевич

Всего записей: 8

1. Kotur,M; Dzhioev,RI; Kavokin,KV; Korenev,VL; Namozov,BR; Pak,PE; Kusrayev,YuG
Nuclear spin relaxation mediated by Fermi-edge electrons in n-type GaAs. Письма ЖЭТФ, т.99, 1, 2014, p. 40 - 44

Kotur,M; Dzhioev,RI; Kavokin,KV; Korenev,VL; Namozov,BR; Pak,PE; Kusrayev,YG
Nuclear Spin relaxation mediated by Fermi-edge electrons in n-type GaAs. JETP Lett., v.99, 1, 2014, p. 37 - 41
http://dx.doi.org/10.1134/S0021364014010068
2. Бреслер,МС; Гусев,ОБ; Пак,ПЕ; Яссиевич,ИН; Gregorkiewicz,T
Эффективное сечение возбуждения редкоземельных ионов в полупроводниковых матрицах при оптической накачке. Изв. РАН, сер. физ., т.66, 2, 2002, с. 276 - 278
Совещание Нанофотоника

Bresler,MS; Gusev,OB; Pak,PE; Yassievich,IN; Gregorkiewicz,T
Excitation cross section of erbium in semiconductor matrices under optical pumping. Izv. Akad. Nauk Ser. Fiz., v.66, 2, 2002, p. 276 - 278
Workshop Nanophotonics, 2001

Bresler,MS; Gusev,OB; Pak,PE; Yassievich,IN; Gregorkiewicz,T
Effective excitation cross section of rare-earth ions in semiconductorhosts under optical pumping. Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., v.66, 2, 2002, p. 296 - 298
3. Gusev,OB; Bresler,MS; Pak,PE; Yassievich,IN; Forcales,M; Vinh,NQ; Gregorkiewicz,T
Excitation cross-section of erbium in semiconductor matrices under optical pumping. Solid State Phenom., v.82-84,
В книге (сборнике): Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology IX, 2002, p. 651 - 656
9th Int. Conference on Gettering anf Defect Engineering in Semiconductor Technology , S. Tecla, Italy
4. Бреслер,МС; Гусев,ОБ; Пак,ПЕ; Теруков,ЕИ; Яссиевич,ИН
Эффективное сечение возбуждения эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии при оптической накачке. ФТТ, т.43, 4, 2001, с. 601 - 604

Bresler,MS; Gusev,OB; Pak,PE; Terukov,EI; Yassievich,IN
Effective excitation cross section of erbium in amorphous hydrogenated silicon under optical pumping. Phys. Solid State, v.43, 4, 2001, p. 625 - 628
http://dx.doi.org/10.1134/1.1365982
5. Коньков,ИО; Кузнецов,АН; Пак,ПЕ; Теруков,ЕИ; Границына,ЛС
Электролюминесценция эрбия в структуре Al/a-Si: H(Er)/p-c-Si/Al. Письма ЖТФ, т.27, 13, 2001, с. 30 - 33

Kon`kov,IO; Kuznetsov,AN; Pak,PE; Terukov,EI; Granitsyna,LS
Erbium electroluminescence in an Al/a-Si:H(Er)/p-c-Si/Al heterostructure. Tech. Phys. Lett., v.27, 7, 2001, p. 542 - 543
http://dx.doi.org/10.1134/1.1388936
6. Yassievich,IN; Bresler,MS; Gusev,OB; Pak,PE; Tsendin,KD; Terukov,EI
Mechanism of electroluminescence in the amorphous silicon-based erbium-doped structures. Mater. Sci. Eng. B-Solid State Mater. Adv. Technol., v.81, 1-3, 2001, p. 182 - 184
http://dx.doi.org/10.1016/S0921-5107(00)00733-9
7. Gusev,OB; Bresler,MS; Pak,PE; Yassievich,IN; Forcales,M; Vinh,NQ; Gregorkiewicz,T
Excitation cross section of erbium in semiconductor matrices under optical pumping. Phys. Rev. B, v.64, 7, 2001, p. #075302 - 075302
http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.64.075302
8. Бреслер,МС; Гусев,ОБ; Пак,ПЕ; Яссиевич,ИН
Резонансные возбуждения ионов эрбия в электролюминесцентных структурах на основе кристаллического кремния. Изв. РАН, сер. физ., т.64, 2, 2000, с. 264 - 268

Bresler,MS; Gusev,OB; Pak,PE; Yassievich,IN
Resonant excitation of erbium ions in crystalline-silicon-based electroluminescent structures. Izv. Akad. Nauk Ser. Fiz., v.64, 2, 2000, p. 264 - 268

Bresler,MS; Gusev,OB; Park,PE; Yassievich,IN
Resonance excitation of erbium ions in electroluminescent structuresbased on crystalline silicon. Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., v.64, 2, 2000, p. 213 - 216

Телефон: +7 (812) 297-22-45
Email: post@mail.ioffe.ru
Адрес:194021, Санкт-Петербург,
Политехническая ул., 26

Copyright © 2021 - All Rights Reserved - ioffe.ru

Template by OS Templates