| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 24987 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 322581 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 285 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 28138 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 347688 |
| на статью | 12,4 |
| Индекс Хирша | 177 |
| G-индекс | 296 |
Академик РАН
Р.А. Сурис
1936-2024
⇤ первая
« предыдущая
…
29
30
31
32
33
34
следующая »
последняя ⇥
Всего записей: 668
-
Издание: Виктор Яковлевич Френкель (1930-1997).Последние работы.Воспоминания коллег и друзей Редакторы-составители: В.Г.Григорьянц, Б.Б.Дьяков, О.В.Чернева. Издатель: ФТИ им.Иоффе РАН, СПб Год: 2002 Страниц: 356 ISBN: 5-936-34003-1 -
Издание: Атомный проект СССР. Документы и материалы. Т.1. Ч.2 Редакционная коллегия: Л.Д.Рябев, А.М.Балдин, :, Б.Б.Дьяков,:, Е.А.Шашунов Издатель: Изд. МФТИ Год: 2002 Страниц: 800 ISBN: 5-89155-095-4 -
Название: InN growth by plasma-assisted molecular beam epitaxy Издание: Vacuum Science and Technology: Nitrides as Seen by the Technology, 2002, eds.T.Paskova and B.Monemar Авторы: S.V.Ivanov, V.N.Jmerik Издатель: Research Signpost, Kerala, India Год: 2002 Страницы: 369-400 Страниц: 479 ISBN: 81-7736-198-8 -
Название: Low-frequency Noise in GaN-based Field Effect Transistors Издание: Noise and Fluctuations Control in Electronic Devices, ed. Balandin Авторы: M.E.Levinshtein, A.A.Balandin, S.L.Rumyantsev, M.S.Shur Издатель: American Scientific Publishers Год: 2002 Страницы: 50-64 Страниц: 411 ISBN: 1-588-83005-5 -
Издание: Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe Редакторы: M.E.Levinshtein, S.L.Rumyantsev, M.S.Shur Издатель: JOHN WILEY & SONS LTD Год: 2001 Страниц: 216 ISBN: 978-0-471-35827-5 -
Название: Magnetic Fields: Thermoelectric Power Издание: Encyclopedia of Materials: Science and Technology. Functional Phenomena, v.1 Авторы: A.T.Burkov, K.Yagasaki Издатель: Elsevier Science Ltd. Год: 2001 Страницы: 4757-4761 Страниц: 10000 ISBN: 0-0804-3152-6 -
Название: Metals at High Temperatures: Thermoelectric Power Издание: Encyclopedia of Materials: Science and Technology. Functional Phenomena, v.1 Автор: A.T.Burkov Издатель: Elsevier Science Ltd. Год: 2001 Страницы: 5548-5554 Страниц: 10000 ISBN: 0-0804-3152-6 -
Издание: 9th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology Редактор: R.Suris Издатель: IoP Publishing Год: 2001 Страниц: 235 ISSN: 0957-4484 (print), 1361-6528 (online) -
Издание: Физика и жизнь Автор: Ж.И.Алфёров Издатель: Наука, Москва-СПб Год: 2001 Страниц: 288 ISBN: 5-02-022619-X, ISBN: 5-02-024962-9 -
Издание: Вопросы математической физики и прикладной математики. К 100-летию Г.А.Гринберга Редакторы-составители: Э.А.Тропп, Е.В.Галактионов Издатель: ФТИ им.Иоффе РАН, СПб Год: 2001 Страниц: 288 ISBN: 5-93634-004-X -
Издание: Электронная структура фуллеренов и фуллеритов Авторы: Т.Л.Макарова, И.Б.Захарова Издатель: Наука, СПб Год: 2001 Страниц: 70 ISBN: 5-02-024965-3 -
Издание: Strain solitons in solids and how to construct them Автор: A.M.Samsonov Издатель: Chapman & Hall / CRC Год: 2001 Страниц: 248 ISBN: 0-849-30684-1 -
Издание: Широкозонные полупроводники Авторы: Ю.Г.Шретер, Ю.Т.Ребане, В.А.Зыков, В.Г.Сидоров Издатель: Наука, СПб Год: 2001 Страниц: 125 ISBN: 5-02-024959-9 -
Издание: Оптические свойства наноструктур Авторы: Л.Е.Воробьев, Е.Л.Ивченко, Д.А.Фирсов, В.А.Шалыгин Издатель: Наука, СПб Год: 2001 Страниц: 188 ISBN: 5-02-024537-5 -
Издание: Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантованных структурах Авторы: Л.Е.Воробьев, С.Н.Данилов, Г.Г.Зегря, Д.А.Фирсов, В.А.Шалыгин, И.Н.Яссиевич, Е.В.Берегулин Издатель: Наука, СПб Год: 2001 Страниц: 248 ISBN: 5-02-024967-X -
Название: Chapter 3. Indium Nitride Издание: Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe Автор: A.S.Zubrilov Издатель: JOHN WILEY & SONS LTD Год: 2001 Страницы: 49-66 Страниц: 216 ISBN: 978-0-471-35827-5 -
Название: Chapter 5. Silicon Carbide Издание: Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe Авторы: Yu.A Goldberg, M.E.Levinshtein, S.L.Rumyantsev Издатель: JOHN WILEY & SONS LTD Год: 2001 Страницы: 93-147 Страниц: 216 ISBN: 978-0-471-35827-5 -
Название: Chapter 4. Boron Nitride Издание: Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe Авторы: S.L.Rumyantsev, M.E.Levinshtein, A.D.Jackson, S.N.Mohammed, G.L.Harris, M.G.Spencer Издатель: JOHN WILEY & SONS LTD Год: 2001 Страницы: 67-92 Страниц: 216 ISBN: 978-0-471-35827-5 -
Название: Chapter 1. Gallium Nitride Издание: Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe Авторы: V.Bougrov, M.Levinshtein, S.L.Rumyantsev, A.Zubrilov Издатель: JOHN WILEY & SONS LTD Год: 2001 Страницы: 1-30 Страниц: 216 ISBN: 978-0-471-35827-5 -
Издание: Теория многоэлектронных эффектов в атомных процессах Авторы: М.Я.Амусья, В.К.Иванов, Н.А.Черепков, Л.В.Чернышева Издатель: ФТИ им.Иоффе РАН, СПб Год: 2001 Страниц: 109
⇤ первая
« предыдущая
…
29
30
31
32
33
34
следующая »
последняя ⇥