/
Группа МОС-гидридной эпитаксии и исследования свойств наногетероструктур на основе нитридов III группы
Оборудование для исследования физических свойств эпитаксиальных наноструктур на основе III-N, выращенных методом ГФЭ МОС
Автоматизированная установка для оптической спектроскопии наногетероструктур на основе A3B5 выполнена на базе монохроматора МДР-23 и предназначена для измерения спектров фото- (ФЛ) и электролюминесценции (ЭЛ), спектров отражения, пропускания и спектроскопии возбуждения.
Для регистрации спектров используется либо высокоскоростной оптоволоконный спектрометр Avantes 2048 (диапазон от 190 до 1100 нм), либо монохроматор МДР-23 и фотоприемник работающий в режиме счета фотонов или режиме синхронного детектирования.
Для возбуждения фотолюминесценции могут использоваться различные лазеры: непрерывный He-Cd лазер λ = 325 нм, полупроводниковый лазер λ = 405 нм, или импульсный азотный лазер λ = 337.1 нм. Для измерения ФЛ и ЭЛ в интервале температур от 7 до 320 К используется гелиевый криостат замкнутого цикла.
Схематическое изображение и внешний вид установки для оптической спектроскопии.
 |
 |
Автоматизированная установка для измерения оптических характеристик на базе микроскопа “ЛОМО ЛЮМАМ-И2” предназначена для измерения спектров микро-электро- и микро-фотолюминесценции. Регистрация спектров осуществляется с помощью высокоскоростного оптоволоконного спектрометра Avantes 3648, который позволяет измерять спектры в интервале от 190 до 1100 нм, и обладает высоким разрешением и чувствительностью. В составе установки имеется сканирующий стол, обеспечивающий перемещение с шагом 0.5 микрон для измерения распределения люминесценции по поверхности образца. Для измерения спектров в интервале температур от 80 до 300 К используется азотный проточный криостат.
Внешний вид автоматизированного измерительного комплекса на базе микроскопа ЛОМО.
 |
 |
Установка для измерения вольт-ватт-амперных L-I-V характеристик гетероструктур.
Внешний вид и схематическое изображение установки для измерения ток-мощностных характеристик:
1. образец; 2. зонды; 3. фотодиод; 4. блок управления; 5. компьютер; 6. корпус.
Прямое напряжение на светодиод подается с помощью зондов. Изменение тока через структуру и регистрация фототока фотодиода осуществляется автоматизированным блоком, который управляется персональным компьютером. В результате измерения регистрируется L-I-V зависимость, что позволяет сравнивать между собой различные светодиодные структуры.
Светодиодные гетероструктуры на основе InGaN/GaN, излучающие в синем, зеленом, желтом и красном диапазонах длин волн.
 |
 |
 |
 |
Изучение электрических параметров эпитаксиальных гетероструктур: концентрации ns и дрейфовой подвижности носителей заряда μ выполняются с помощью измерения эффекта Холла четырехзондовым методом Ван-дер-Пау на модернизированной установке Bio-Rad HL5200 с постоянным магнитом. Измерения производятся как при комнатной температуре, так и при температуре жидкого азота (77К).
Внешний вид установки для измерения эффекта Холла методом Ван-дер-Пау.
