2-й Симпозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" состоится в Учреждении Российской академии наук Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН (г. Санкт-Петербург) и Санкт-Петербургском научно-образовательном физико-технологическом центре РАН с 10 по 12 ноября 2010 года. Организатором симпозиума является ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Председатель симпозиума - академик Ж.И. Алферов. Симпозиум является научным форумом, в котором участвуют все ведущие научные учреждения РФ, работающие по современным направлениям фундаментальных исследований в области получения и исследования когерентного оптического излучения полупроводниковых соединений и структур. К рассматриваемым на Симпозиуме разделам относятся: полупроводниковые лазеры на гетероструктурах, исследование мощного когерентного излучения инжекционных лазеров, полупроводниковые лазеры с оптической и электронной накачкой, униполярные полупроводниковые лазеры, перспективные направления создания оптических когерентных источников, физика разрушения и деградации излучательных полупроводниковых структур и т.п. 1-й Симпозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" состоялся в Санкт - Петербурге в 2008 году. Участниками Симпозиума было принято решение проводить Симпозиум регулярно раз в два года. Участие ученых Санкт-Петербурга, а также иногородних участников из Москвы, Нижнего Новгорода, Воронежа, Саратова и др. в работе Симпозиума позволяет представить результаты на широкое научное обсуждение и поставить новые научные цели в области изучения фундаментальных основ когерентного оптического излучения полупроводниковых структур. 6.6.Председатель оргкомитета: Тарасов Илья Сергеевич
