/
 |
Артеев Дмитрий Сергеевич |
Место и год рождения:
1992, Инта, Россия.
Ученая степень:
магистр, 2016
«Исследование влияния дизайна и условий роста индий-алюминий-галлий-азот светодиодных структур зелёного спектрального диапазона на их свойства»
Должность (в настоящее время):
младший научный сотрудник
Опыт работы:
2015 - по настоящее время, ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
2015 - по настоящее время, НТЦ микроэлектроники РАН.
Образование:
2010 - 2014 – бакалавриат, Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), кафедра Оптоэлектроники – базовая кафедра ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
2014 - 2016 – магистратура, Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), кафедра Оптоэлектроники – базовая кафедра ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
2016 - по настоящее время, аспирантура, ФТИ им. А.Ф.Иоффе.
Награды и премии за научную деятельность:
2018 г., Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Светодиоды с монолитной активной областью на основе III-N гетероструктур».
Область научных интересов:
Изучение физических процессов в наногетероструктурах на основе системы материалов InAlGaN, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, для оптимизации дизайна и разработки моделей для их описания.
Светоизлучающие диоды видимого диапазона на основе гетероструктур InGaN/GaN и источники белого света с монолитной активной областью на их основе.
Гетероструктуры на основе InAlN/GaN и AlGaN/GaN для проводящих распределенных брэгговских отражателей с максимумом коэффициента отражения в видимом и ультрафиолетовом диапазонах и транзисторов с высокой подвижностью электронов с высокими выходными характеристиками.
Гетероструктуры на основе InAlGaN, выращенные с использованием сверхтонких маскирующих покрытий Si3N4, осаженных в едином процессе ГФЭ МОС.
Численное моделирование полупроводниковых наноструктур на основе системы материалов InAlGaN и светодиодов, лазерных диодов и полевых транзисторов на их основе.
Публикации
Автор и соавтор 8 публикаций в ведущих отечественных и зарубежных научных журналах и трудах всероссийских и международных конференций и симпозиумов.
В том числе в изданиях, индексируемых WoS 1, Scopus 3, РИНЦ 1.
Список публикаций можно посмотреть на
http://www.researcherid.com/rid/P-2129-2017
