/
 |
Родин Сергей Николаевич |
Место и год рождения:
1972, Санкт-Петербург (Ленинград), Россия.
Должность (в настоящее время):
научный сотрудник
Опыт работы:
2003 - по настоящее время, ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Образование:
1994 - 2000 – Ленинградский электротехнический институт
им. В. И. Ульянова (Ленина) СПбГЭТУ «ЛЭТИ», магистр техники
и технологии по направлению электроника и микроэлектроника.
Область научных интересов:
Развитие и исследование технологии эпитаксиального роста методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (ГФЭ МОС) бинарных соединений и гетероструктур на основе широкозонных полупроводниковых III-N соединений.
Светодиоды с активной областью на основе наногетроструктур InGaN/GaN, излучающие в синем и зелено-желтом диапазонах длин волн.
Светодиодные InGaN/GaN гетероструктуры, излучающие в сине-зеленом спектральном диапазоне, сформированные на поверхности GaN нитевидных микрокристаллов, индуцированных нанослоем титана при выращивании методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений.
Эпитаксиальные слои GaN и гетероструктуры на основе системы материалов InAlGaN, выращенные на подложках сапфира на неполярных и полуполярных плоскостях.
Развитие технологии осаждения из газовой фазы и исследование структурных свойств сверхтонких маскирующих покрытий Si3N4, осажденных в едином технологическом процессе на поверхность гетероструктур, для пассивации поверхности полевых (HEMT) транзисторов на основе InAlN/GaN и AlGaN/GaN, и в качестве маски для получения структур основе (Al)GaN с помощью селективной МОС-гидридной эпитаксии.
Изучение легирования слоев (Al)GaN атомами Si, Mg, Zn, Fe, C в процессе роста методом ГФЭ МОС для получения слоев n- и p-типа проводимости, а также изолирующих буферных слоев.
Научная деятельность на протяжении более, чем 10-ти лет в области технологии синтеза и исследования физических свойств гетероструктур в различных системах материалов А3В5 и полупроводниковых приборов на их основе.
Публикации
Автор и соавтор 25 публикаций в ведущих отечественных и зарубежных научных журналах и трудах всероссийских и международных конференций и симпозиумов.
В том числе в изданиях, индексируемых Scopus 14, РИНЦ 25.
Индекс Хирша в Scopus 6 (на ноябрь 2018г.).
Список публикаций можно посмотреть на
https://www.scopus.com/authid/
