/
 |
Сахаров Алексей Валентинович |
Место и год рождения:
1974, Санкт-Петербург (Ленинград), Россия.
Ученая степень:
Кандидат физико-математических наук, 2000 г.
«Оптические свойства слоев и гетероструктур на основе нитридов III группы».
Должность (в настоящее время):
старший научный сотрудник
Опыт работы:
1996 - по настоящее время, ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
1999 - по настоящее время, НТЦ микроэлектроники РАН.
1999 - 2004 - приглашенный ученый Технический Университет Берлина, Берлин, Германия, и Индустриально-технологический исследовательский институт, Синьчжу, Тайвань..
2009 - 2010, Академический Университет, доцент.
Образование:
1991 - 1996 - Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Институт, Физико-технический факультет.
Награды и премии за научную деятельность:
1999 г., Премия ФТИ за лучшую работу "Многослойные структуры в системе InGaN/GaN/AlGaN и поверхностно-излучающие приборы на их основе".
2008 г., Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Роль водорода в процессе МО ГФЭ нитридов третьей группы».
2009 г., Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Светодиоды видимого диапазона на основе нитрида галлия».
2013 г., Премия ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN».
2018 г., Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Светодиоды с монолитной активной областью на основе III-N гетероструктур».
Членство в ведущих научных сообществах, участие в редколлегиях ведущих рецензируемых научных изданий:
Секретарь программного комитета Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы».
Член программных комитетов: ISGN-4, Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы» (2010, 2011, 2013гг.).
Область научных интересов:
Физические свойства квантоворазмерных гетероструктур на основе систем материалов InAlGaN и InAlGaAs. Оптические свойства светодиодов и лазеров видимого и ближнего ИК диапазона. Структурные и электрофизические свойства гетероструктур InAlN/AlN/GaN и AlGaN/AlN/GaN для полевых транзисторов с высокой подвижностью носителей (HEMT).
Преподавательская деятельность:
2016г. – по настоящее время, руководство аспирантом
ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Количество и список результатов интеллектуальной деятельности, имеющих правовую охрану (патенты):
US patent 6993055 “Resonant cavity device array for WDM application and the fabrication method of the same”;
Патент № 2504048 «Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель»;
Патент на полезную модель № 102849 «Светоизлучающий кристалл»;
Патент на полезную модель № 119165 «Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура (варианты)»;
Патент на полезную модель № 124441 «Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель»;
Патент № 2371806 «Способ изготовления нитридного полупроводника и нитридного полупроводникового устройства p-типа»;
Патент № 2369942 «Светоизлучающий прибор на основе нитридного полупроводника»;
Патент № 2426197 «Нитридное полупроводниковое устройство»;
Патент № 2650352 «Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения»;
Патент № 2650597 «Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения»;
Патент № 2642472 «Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения»;
Патент на полезную модель № 169283 «Гетероструктурный полевой транзистор InGaAlN/As»;
Патент на полезную модель № 169284 «Гетероструктурный полевой транзистор»;
Публикации
Автор и соавтор более чем 300 публикаций в ведущих отечественных и зарубежных научных журналах и трудах всероссийских и международных конференций и симпозиумов.
В том числе в изданиях, индексируемых WoS 134, Scopus 190, РИНЦ 433.
Индекс Хирша в WoS 17 (на ноябрь 2018г.).
Список публикаций можно посмотреть на
http://www.researcherid.com/rid/A-9250-2014
