/
 |
Цацульников Андрей Федорович |
Место и год рождения:
1966, Санкт-Петербург (Ленинград), Россия.
Ученая степень:
Кандидат физико-математических наук, 1992
«Строение и свойства глубоких акцепторных центров, создаваемых элементами подгруппы меди в GaAs».
Должность (в настоящее время):
старший научный сотрудник
Опыт работы:
1992 – по настоящее время, ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
2016 - по настоящее время, НТЦ микроэлектроники РАН.
Образование:
1983-1989 – Ленинградский электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина), кафедра Оптоэлектроники - базовая кафедра ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
1989-1992 – аспирантура, Ленинградский электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина), базовая кафедра ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Награды и премии за научную деятельность:
2001 - Best Paper Award, IEEE Journal of Quantum Electronics, USA. За лучшую работу в журнале Journal of Quantum Electronics, издательство IEEE (M.V. Maximov, N.N. Ledenstov, D. Bimberg, L.V. Asryan, Y.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul'nikov, I.N. Kaiander, V.V. Nikolaev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Z.I. Alferov, "Gain and threshold characteristics of long wavelength lasers based on InAs/GaAs quantum dots formed by activated alloy phase separation", IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 37, № 5. P. 676-683. (2001), DOI: 10.1109/3.918581)
2008- Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Роль водорода в процессе МО ГФЭ нитридов третьей группы».
2009 - Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Светодиоды видимого диапазона на основе нитрида галлия».
2013 – Премия ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN».
2018 г., Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Светодиоды с монолитной активной областью на основе III-N гетероструктур».
Область научных интересов:
Более, чем 25-ти летний опыт в области технологии синтеза и исследования физических свойств наногетероструктур в системах материалов InAs/GaAs, InSb/GaSb/, InGaAs/InP, InGaN/GaN, выращенных методами молекулярно пучковой и МОС-гидридной эпитаксии, и полупроводниковых приборов на их основе.
Опыт руководства 9 проектами РФФИ, проектами Минобрнауки, грантом NEWLED (7-я Европейская Рамочная Программа), договорами с зарубежными (Samsung (Ю.Корея), Osram (Германия), Corning (США)) и российскими (АО «Светлана-Электронприбор», АО НПФ «Микран» (Томск), АО «НПП «Салют», АО «НПП «Исток» им. Шокина») компаниями.
Преподавательская деятельность:
Руководство аспирантурой и диссертациями на соискание степени к.ф.-м.н.:
Крыжановская Н.В. «Оптические свойства гетероструктур AlGaAsN на основе GaAs».
Сизов В.С. «Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов».
Усов С.О. «Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN».
Количество и список результатов интеллектуальной деятельности, имеющих правовую охрану (патенты):
Патент № 2504048 «Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель»;
Патент на полезную модель № 102849 «Светоизлучающий кристалл»;
Патент на полезную модель № 119165 «Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура (варианты)»;
Патент на полезную модель № 124441 «Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель»;
Патент № 2371806 «Способ изготовления нитридного полупроводника и нитридного полупроводникового устройства p-типа»;
Патент № 2369942 «Светоизлучающий прибор на основе нитридного полупроводника»;
Патент № 2426197 «Нитридное полупроводниковое устройство»;
Патент на полезную модель № 169283 «Гетероструктурный полевой транзистор InGaAlN/As»;
Патент на полезную модель № 169284 «Гетероструктурный полевой транзистор»;
Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы № 2017630014 «Тестовый кристалл для контроля технологических параметров при изготовлении СВЧ микросхем на нитриде галлия»;
Патент № 2673515 «Способ подачи газов в реактор для выращивания эпитаксиальных структур на основе нитридов металлов III группы и устройство для его осуществления»;
Публикации
Автор и соавтор более чем 250 публикаций в ведущих отечественных и зарубежных научных журналах и трудах всероссийских и международных конференций и симпозиумов.
В том числе в изданиях, индексируемых WoS 267, Scopus 262, РИНЦ 364.
Индекс Хирша в WoS 32 (на ноябрь 2018г.).
Частичные списки публикаций можно посмотреть на
http://www.researcherid.com/rid/A-9150-2014 и
https://www.researchgate.net/profile/Andrey_Tsatsulnikov
