/
 |
Заварин Евгений Евгеньевич |
Место и год рождения:
1975, Санкт-Петербург (Ленинград), Россия.
Ученая степень:
Кандидат физико-математических наук, 2008 г.
«Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений».
Защита диссертации в ФТИ им. А.Ф.Иоффе.
Должность (в настоящее время):
старший научный сотрудник
Опыт работы:
1995 - по настоящее время, ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
2004 - по настоящее время, НТЦ микроэлектроники РАН.
Образование:
1992 - 1996 – бакалавриат, Санкт-Петербург, Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), кафедра Оптоэлектроники, (базовая кафедра ФТИ им. А.Ф.Иоффе). Тема бакалаврской работы „Выращивание эпитаксиальных слоев GaN хлоридной эпитаксией“.
1996 - 1998 – Магистратура, Санкт-Петербург, Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), кафедра Оптоэлектроники, (базовая кафедра ФТИ им. А.Ф.Иоффе). Тема магистерской работы ” Выращивание эпитаксиальных слоев GaN на аморфных подложках хлоридной эпитаксией”.
1998 - 2001 – Аспирантура Санкт-Петербург, Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), кафедра Оптоэлектроники (базовая укафедра ФТИ им. А.Ф.Иоффе) Тема работы – "Выращивание нитридов 3 группы методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений".
Награды и премии за научную деятельность:
2008 г., Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Роль водорода в процессе МО ГФЭ нитридов третьей группы».
2009 г., Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Светодиоды видимого диапазона на основе нитрида галлия».
2013 г., Премия ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN».
2018 г., Премия Центра физики наногетероструктур ФТИ им А.Ф. Иоффе за работу «Светодиоды с монолитной активной областью на основе III-N гетероструктур».
Область научных интересов:
Разработка новых реакторов, установок, и сопутствующего оборудования для роста методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (ГФЭ МОС) наногетероструктур на основе соединений III-N на подложках сапфира, кремния и карбида кремния.
Исследование и развитие технологии МОС-гидридной эпитаксии гетероструктур на основе бинарных соединений и твердых растворов в системы материалов InAlGaN и полупроводниковых приборов на их основе.
Гетероструктуры на основе InGaN/GaN для светоизлучающих диодов, излучающих в синем, зелено-желтом и оранжевом диапазонах, и источники белого света на их основе.
Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур AlInN/AlN/GaN и AlGaN/AlN/GaN, выращенные методом ГФЭ МОС на подложках сапфира и карбида кремния.
Распределенные брэгговские отражатели на основе гетероструктур AlGaN/GaN и InAlN/GaN.
Структуры на основе GaN, выращенные с помощью селективной МОС-гидридной эпитаксии с использованием сверхтонких маскирующих покрытий Si3N4, осажденных в едином технологическом процессе и ионно-лучевого травления.
Развитие технологии легирования слоев (Al)GaN атомами Si, Mg, Zn, Fe, C в процессе роста методом ГФЭ МОС для получения слоев n- и p-типа проводимости, а также легированных изолирующих буферных слоев для полевых транзисторов.
20-ти летний опыт в области разработки, создания и эксплуатации установок МОС-гидридной эпитаксии и дополнительного сопутствующего оборудования для роста III-N гетероструктур и полупроводниковых приборов на их основе.
Количество и список результатов интеллектуальной деятельности, имеющих правовую охрану (патенты):
Патент № 2504048 «Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель»;
Патент на полезную модель № 102849 «Светоизлучающий кристалл»;
Патент на полезную модель № 119165 «Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура (варианты)»;
Патент на полезную модель № 124441 «Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель»;
Патент № 2371806 «Способ изготовления нитридного полупроводника и нитридного полупроводникового устройства p-типа»;
Патент № 2369942 «Светоизлучающий прибор на основе нитридного полупроводника»;
Патент № 2426197 «Нитридное полупроводниковое устройство»;
Патент на полезную модель № 169283 «Гетероструктурный полевой транзистор InGaAlN/As»;
Патент на полезную модель № 169284 «Гетероструктурный полевой транзистор»;
Патент № 2673515 «Способ подачи газов в реактор для выращивания эпитаксиальных структур на основе нитридов металлов III группы и устройство для его осуществления»;
Публикации
Автор и соавтор более, чем 150 публикаций в ведущих отечественных и зарубежных научных журналах и трудах всероссийских и международных конференций и симпозиумов.
В том числе в изданиях, индексируемых WoS 94, Scopus 125, РИНЦ 158.
Индекс Хирша в WoS 13 (на ноябрь 2018г.).
Список публикаций можно посмотреть на
http://www.researcherid.com/rid/A-9137-2014
