Лаборатория физики полупроводниковых гетероструктур

Адрес электронной почты: Vmust@beam.ioffe.ru.

Секретарь: Комарова Наталья Олеговна

Телефон: (812) 2974059

Факс: (812) 2978640

Адрес электронной почты: Nata.Komarova@mail.ioffe.ru

Виктор Михайлович Устинов -
Член - корреспондент Российской Академии Наук, доктор физико-математических наук, профессор кафедры Оптоэлектроники, заведующий кафедрой Оптоэлектроники (базовая кафедра ФТИ им. А.Ф. Иоффе) в СПбГЭТУ «ЛЭТИ», директор Федерального государственного бюджетного учреждения науки Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, главный научный сотрудник, заведующий лаборатории Физики полупроводниковых гетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе, лауреат Государственной премии Российской Федерации в области науки и техники.

Основные научные интересы: Технология эпитаксиального роста методами молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и газофазной эпитаксии из металл-органических соединений (ГФЭ МОС), и исследование физических свойств гетероструктур и полупрводниковых приборов на основе соединений А³В⁵ и III-N.

Виктор Михайлович Устинов родился 1 июня 1958 года в городе Ленинграде. В 1981 году с отличием окончил Факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института им. В.И. Ульянова (Ленина). В этом же году начал научную деятельность в Физико-Техническом институте им. А.Ф. Иоффе, где прошел все ступени научной карьеры от младшего научного до главного научного сотрудника. В 1986 году защитил кандидатскую диссертацию по теме «Электрофизические свойства арсенида галлия, арсенида галлия алюминия и гетероструктур с двумерным электронным газом на их основе, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии». В 1999 году защитил докторскую диссертацию на тему «Гетероструктуры с квантовыми точками (получение, свойства, лазеры)». Одновременно вел преподавательскую работу на кафедре Оптоэлектроники в СПбГЭТУ «ЛЭТИ», в СПбПУ и СПб АУ НОЦН РАН. Под его руководством защищено 5 кандидатских диссертаций.

Научная деятельность В.М. Устинова была неоднократно поддержана российскими и зарубежными научными фондами, включая РФФИ, Федеральные целевые программы, программы Президиума РАН, Министерство образования и науки РФ и др. С 2004 по 2008 годы занимал должность заместителя председателя по науке Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН. В 2006 году Устинов В. М. был избран членом-корреспондентом РАН.

Научными исследованиями в области технологии эпитаксиального роста полупроводниковых гетероструктур и приборов на основе соединений А³В⁵ и III-N В.М. Устинов занимается с 1981 года. На протяжении этих лет им и сотрудниками лаборатории были получены следующие научные результаты:

разработана технология синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками и обнаружен ряд физических эффектов, уникальных для объектов с трехмерным квантованием носителей заряда;
созданы научно-технологические основы для разработки полупроводниковых инжекционных лазеров нового поколения на основе квантовых точек;
разработана технология синтеза методом МОС-гидридной эпитаксии гетероструктур на основе нитридов третьей группы для сверхярких белых светодиодов и получены пионерские результаты по синтезу высокоэффективных зеленых, а также монолитных белых светодиодов, не содержащих люминофора;
развита технология получения полупроводниковых гетероструктур для малошумящих и мощных СВЧ транзисторов, детекторов, умножителей частоты и монолитных интегральных схем.

В.М. Устинов является членом редколлегий журналов: «Журнала Технической Физики (ЖТФ)», «Научное приборостроение» и «Труды Санкт-Петербургского Политехнического Университета Петра Великого».

В.М. Устинов является членом Ученого Совета ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, членом Ученого Совета Санкт-Петербургского национального исследовательского академического университета Российской Академии Наук, член Президиума СПбНЦ РАН, членом экспертной комиссии ОНИТ РАН по направлению "Нанотехнологии", членом Совета по научному приборостроению ФАНО, председателем Ученого совета НТЦ Микроэлектроники РАН.

Устинов В.М. автор и соавтор более чем 900 публикаций в ведущих отечественных и зарубежных научных журналах и трудах всероссийских и международных конференций и симпозиумов, 1 монографии и 3 патентов.

В том числе в изданиях WoS 574, Scopus 737, РИНЦ 944.
Индекс Хирша в WoS 59 (на ноябрь 2018г.).

Список публикаций можно посмотреть на http://www.researcherid.com/rid/J-3545-2013.

Монография: Ustinov V.M., Zhukov A.E., Egorov A.Yu., Maleev N.A., Quantum dot lasers, U.K.: Oxford University Press, 2003. PP. 304. ISBN 0198526792.

Результаты интеллектуальной деятельности, имеющие правовую охрану (патенты):

Патент РФ на изобретение “Способ изготовления светоизлучающей структуры на квантовых точках и светоизлучающая структура”, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, Н.А. Малеев, А.Р. Ковш, N 2205468 от 09.07.2002.
Патент РФ на изобретение “Способ изготовления светоизлучающей структуры и светоизлучающая структура”, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, В.В. Мамутин, N 2257640 от 28.04.2004.
Патент РФ на изобретение “Полупроводниковый вертикально-излучающий лазер с внутрирезонаторными контактами”, С.А. Блохин, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, В.М. Устинов, N 2611555 от 17.12.2015.

Руководитель диссертаций на соискание ученой степени к.ф.-м.н.:

Михрин С.С., 2002, "Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме (выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)".
Тонких А.А., 2005, "Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния".
Семенова Е.С., 2005, "Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур с In x Al y Ga 1-x-y As/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники".
Никитина Е.В., 2006, "Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающие на длине волн 1.3 мкм".
Кузьменков А.Г., 2008, "Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры на основе самоорганизующихся квантоворазмерных гетероструктур в системе материалов InGaAs-AlGaAs".

Список национальных и международных премий и наград в области науки и техники, присужденных В.М. Устинову:

1988 г., Лауреат премии Ленинградской комсомольской организации за работу "Разработка технологии получения методом молекулярно пучковой эпитаксии и исследование гетероструктур с квантоворазмерными эффектами".
1988 г., Лауреат премии ученого совета Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе АН СССР за работу "Гетеролазеры на основе короткопериодных сверхрешеток".
2000г., Главная премия. МАИК Наука/Интерпериодика.
2001, Best Paper Award, "Gain and threshold characteristics of long wavelength lasers based on InAs/GaAs quantum dots formed by acivated alloy phase separation", IEEE Journal of Quantum Electronics USA.
2001г, Государственная премия Российской Федерации в области науки и техники за цикл работ «Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе».
2005г., Награда издательства Elsevier Science, "To honor his achievement as the most published STM author from Russian Federation between 2003 and 2005".
1996 г., Премия ФТИ за лучшую работу "Надбарьерный экситон: первое магнитооптическое исследование".
1999 г., Премия имени А.Ф. Иоффе за цикл работ "Получение методами самоорганизации и исследование гетероструктур с квантовыми точками".
2001 г., Премия ФТИ за лучшую работу "Динамика электронного спина в самоорганизованных квантовых точках".
2002 г., Премия ФТИ за лучшую работу "Эффект спектрального гашения в полупроводниковых структурах с самоорганизованными квантовыми точками".
2003 г., Премия ФТИ за лучшую работу "Соединения InGaAsN: синтез, свойства и лазеры ближнего ИК диапазона на их основе".
2008 г., Премия ФТИ за лучшую работу "Гигантская спиновая поляризация электронов в полупроводнике, обусловленная спин-зависимой рекомбинацией".
2017 г., Благодарность за активное участие в работе Совета Министерства образования и науки Российской Федерации по науке, существенный вклад в развитие научного потенциала Российской Федерации, Министерство образования и науки Российской Федерации.