/
Группа МОС-гидридной эпитаксии и исследования свойств наногетероструктур на основе нитридов III группы
Оборудование для эпитаксиального роста методом ГФЭ МОС
Установка ГФЭ МОС Aixtron AIX2000 HT
Первая в России стандартная промышленная установка Aixtron AIX2000 HT (Германия) для выращивания структур на основе III-N была введена в эксплуатацию в 2002-2003 гг. в ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Внешний вид установки Aixtron AIX2000 HT
