/
Группа МОС-гидридной эпитаксии и исследования свойств наногетероструктур на основе нитридов III группы
Оборудование для эпитаксиального роста методом ГФЭ МОС
Установка МОС-гидридной эпитаксии Dragon-125
Установка МОС-гидридной эпитаксии Dragon-125, предназначенная для опытного и мелкосерийного производства гетероструктур и полупроводниковых приборов на основе системы материалов AlInGaN, собственной оригинальной конструкции была полностью спроектирована и создана сотрудниками группы МОС-гидридной эпитаксии и введена в эксплуатацию в 2014 году.
Установка имеет горизонтальный реактор с индуктивным нагревом вращающегося подложкодержателя, рассчитанного на три подложки диаметром 2", одну диаметром 3" или одну диаметром 100 мм. Установка оборудована трехлучевой системой in-situ измерения отражения и кривизны подложки и позволяет реализовать широкий диапазон параметров роста: температура роста до 1250 °С, давление в реакторе от 70 до 1600 мбар (выше атмосферного).
Внешний вид установки и реактора Dragon-125
 |
 |
Основные характеристики установки Dragon-125:
Компактный размер (Размер в плане менее 3х1 м2)
Горизонтальный реактор из нержавеющей стали с водяным охлаждением.
Индукционный нагрев до 1200 °С.
Многозонный пирометрический контроль температуры роста.
Давление в реакторе от 70 до 1600 мбар (выше атмосферного).
Специальный инжектор для настройки эпитаксиального процесса и подавления паразитных реакций.
8 линий для МО соединений + 2 запасных.
Вращающийся графитовый подложкодержатель, рассчитанный на три подложки диаметром 2", одну диаметром 3" или одну диаметром 100 мм.
Трехлучевая in-situ система отражения для контроля скорости роста и кривизны подложки (разрешение по кривизне - 2-3 км-1, шумы сигнала отражения - 0.02%, точное позиционирование - разрешение (<1 мм).
Возможность снижения времени эпитаксиального процесса роста приборных структур (светодиодов и полевых транзисторов) за счет увеличения скорости роста и сокращения длительности переходных этапов.
Возможность разработки новых перспективных технологий эпитаксиального осаждения слоев графена на III-N гетероструктурах и получения изолирующих слоев Al(GaN), легированных углеродом и железом.
Специально разработанная система управления установкой, которая позволяет автоматически выращивать гетероструктуры любой сложности без ограничения по продолжительности процесса роста с регистрацией параметров роста в реальном времени.
