/
Группа МОС-гидридной эпитаксии и исследования свойств наногетероструктур на основе нитридов III группы
Оборудование для эпитаксиального роста методом ГФЭ МОС
Установка ГФЭ МОС Epiquip VP-50 RP
Лабораторная установка Epiquip VP-50 RP с горизонтальным реактором небольшого объема, рассчитанного на рост на одной подложке произвольной формы диаметром до 2 дюймов (1×2”), была глубоко модернизирована под исследовательскую работу в 1995 году и оптимизирована для роста гетероструктур на основе системы материалов InAlGaN.
Внешний вид установки Epiquip VP-50 RP
Основные характеристики установки Epiquip VP-50 RP:
Горизонтальный кварцевый реактор.
Графитовый подложкодержатель, без системы вращения подложки.
Индуктивный нагрев 300-1150°С, точность поддержания 0.1°С.
Рабочее давление в реакторе 50-1100 мбар.
Минимальное влияние паразитных реакций в газовой фазе на рост.
Система встроенной in-situ оптической рефлектометрии для контроля толщин, скорости роста слоев и планарности поверхности гетероструктур в реальном времени.
Автоматизированная система управления процессом эпитаксиального роста, разработанная сотрудниками лаборатории.
